Lo sviluppo di dispositivi di memoria ad alte prestazioni fa un nuovo passo avanti. Pochi giorni fa, ricercatori cinesi hanno annunciato la scoperta di un meccanismo per sviluppare dispositivi di memoria non volatile ad altissima velocità. L’Istituto di Fisica dell’Accademia Cinese delle Scienze ha infatti reso nota la notizia.
I dispositivi di memoria non volatile, comprese le memorie ROM e le memorie flash, hanno un’alta capacità e affidabilità meccanica, ma le loro prestazioni sono spesso ostacolate dal basso valore di estinzione e dalla bassa velocità operativa.
Numeri straordinari per i dispositivi di memoria
Un team di ricerca dell’Istituto di Fisica ha sviluppato dispositivi di memoria non volatile floating-gate ad altissima velocità.
Essi si basano su eterostrutture di Van der Waals con interfacce atomicamente nitide tra diversi elementi funzionali, con un valore di estinzione fino a 10 miliardi.
Tali dispositivi di memoria sono in grado di compiere operazioni di lettura e scrittura, riducendone i tempi di elaborazione da 100.000 a 20 nanosecondi, e di conservare i dati per almeno dieci anni.
Le eterostrutture di Van der Waals sono costituite da diversi materiali stratificati impilati e possono essere impiegate in campi di ricerca che vanno dalla scienza dei materiali all’elettrochimica.
Gli esiti della ricerca, finanziata dalla National Natural Science Foundation of China, dal Ministero della Scienza e della Tecnologia e dall’Accademia Cinese delle Scienze, sono stati pubblicati online sulla rivista Nature Nanotechnology.
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Fonte: Ansa
